睿创微纳申请一种电源切换电路及电子设备专利，能够使输出至负载的供电电压满足负载的驱动需求

金融界 2024 年 8 月 14 日消息，天眼查知识产权信息显示，烟台睿创微纳技术股份有限公司申请一项名为“一种电源切换电路及电子设备“，公开号 CN202410616057.8，申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种电源切换电路及电子设备，涉及供电控制领域，包括切换控制模块、第一 MOS 管和第二 MOS 管，其中：第一 MOS 管的第一端和内部电源连接，第二 MOS 管的第一端、切换控制模块的第一端与外接电源端连接，第一 MOS 管的第二端、第二 MOS 管的第二端与负载及系统电源连接；切换控制模块，用于控制第一 MOS 管和第二 MOS 管互补导通，当外接电源端接入外部电源时，控制第二 MOS 管导通，当外接电源端未接入外部电源时，控制第一 MOS 管导通；当第一 MOS 管导通或第二 MOS 管导通时，输出至负载的供电电压满足负载的驱动需求。本发明能够使输出至负载的供电电压满足负载的驱动需求，在外部电源接入时，优先由外部电源供电，提升用户使用体验。

本文源自金融界

豪纬集团申请一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法专利，有效提高微纳结构中有源层的发光效率

金融界 2024 年 8 月 12 日消息，天眼查知识产权信息显示，江苏豪纬交通集团有限公司申请一项名为“一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法“，公开号 CN202410630653.1，申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法，包括衬底准备、前置工艺、外延工艺与后续工艺，所述前置工艺用于在衬底上沉积绝缘层，通过绝缘层之间形成微米孔洞阵列，所述外延工艺用于在形成的微米孔洞中外延生长形成微纳结构。本发明采用自下而上的选区外延工艺，避免了干法刻蚀工艺，有效提高微纳结构中有源层的发光效率。与此同时，二次外延技术可以进一步提高晶体质量，进而提高芯片的电光转换效率。用前置工艺在外延微纳结构前沉积二氧化硅绝缘层，制备具有微米孔洞阵列的二氧化硅层，充当后续微纳阵列器件之间的绝缘层，该绝缘层厚度均一、填充性好，可以有效避免漏电流通道的产生。

本文源自金融界

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