卓胜微取得封装结构、芯片结构及其制备方法专利，该技术使得封装结构具有屏蔽功能

金融界2024年7月10日消息，天眼查知识产权信息显示，江苏卓胜微电子股份有限公司取得一项名为“封装结构、芯片结构及其制备方法”的专利，授权公告号CN117238894B，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本申请涉及一种封装结构、芯片结构及其制备方法，包括：封装基板，封装基板包括接地导电部；多个芯片组，位于封装基板上，芯片组包括多个芯片；第一导电立墙，位于封装基板上且位于芯片组两侧，第一导电立墙分隔芯片组并与接地导电部连接；第二导电立墙，位于同一芯片组的芯片之间；介质膜，覆盖封装基板、芯片组以及第一导电立墙的侧壁；塑封层，位于介质膜上，暴露第一导电立墙，且第二导电立墙位于塑封层内；导电层，位于塑封层上，且覆盖第一导电立墙，导电层电连接第二导电立墙。本申请第一导电立墙同导电层共同构成芯片组的屏蔽结构，同时，第二导电立墙、第一导电立墙以及导电层形成各个芯片之间的内部隔离，使得封装结构具有屏蔽功能。

本文源自金融界

卓胜微申请氮含量检测相关专利，低成本检测栅极氧化层中氮元素

金融界 2024 年 7 月 19 日消息，天眼查知识产权信息显示，江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“氮含量检测方法、装置、存储介质及掺氮机台“，公开号 CN202410368930.6，申请日期为 2024 年 3 月。

专利摘要显示，本发明中记载了一种氮含量检测方法、装置、存储介质及掺氮机台，该方法通过检测栅极氧化层的厚度；根据所述栅极氧化层的厚度确定所述栅极氧化层的等效电容厚度与含氮量之间的映射关系；在掺氮机台工作过程中，获取当前等效电容厚度；根据所述当前等效电容厚度和所述映射关系确定所述栅极氧化层的当前含氮量。在本发明中，通过确定栅极氧化层的等效电容厚度与含氮量之间的映射关系，然后根据检测当前等效电容厚度和映射关系确定栅极氧化层的当前含氮量，从而在不使用 XPS 机台的情况下，低成本的检测栅极氧化层中氮元素。

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